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氧化鋅壓敏電阻器是一種以氧化鋅為主體、添加多種金屬氧化物、經典型的電子陶瓷工藝制成的多晶半導體陶瓷元, , 件。由于其獨特的晶界結構，在一定電場下，晶界導電由熱電子發射傳導瞬間轉變為電子隧道傳導，其電阻值隨著電壓的增大而急劇減小，具有優異的非線性伏安特性。那么，當存在過電壓時，晶界電子隧道效應抑制過電壓峰值增長，吸收部分過電壓能量，從而起到對線路或設備的防護作用。但是，不論壓敏電阻器應用在電力線路或電子線路,若各種類型的過電壓頻繁出現,則壓敏電阻器就會頻繁動作以抑制過電壓幅值和吸收釋放浪涌能量，保護電氣設備及元器件,這勢必會導致壓敏電阻器的性能劣化乃至失效。

（1）劣化，表現為漏電流增大,壓敏電壓顯著下降,直至為零;    

（2）炸裂，若過電壓引起的浪涌能量太大,超過了所選用的壓敏電阻器極限承受能力,則壓敏電阻器在抑制過電壓時將會發生陶瓷炸裂現象;    

（3）穿孔，若過電壓峰值特別高,導致壓敏電阻器陶瓷瞬間發生電幾穿,表現為穿孔。    其中，在進行分級防雷保護前提下，壓敏電阻器的失效模式絕大部分表現為劣化和穿孔（即短路），因此，在使用壓敏電阻器時，必須與之串聯一個合適的斷路器或保險絲，避免電路短路引起事故。    目前，國際上流行的過電壓保護器就是將壓敏電阻器與限流、過流和劣化告警裝置有機地組合在一起，它除了具有過電壓保護功能外，還具有防止自身劣化、導致電路短路的功能。

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ZnO壓敏電阻實際上是一種伏安特性呈非線性的敏感元件，在正常電壓條件下，這相當于一只小電容器，而當電路出現過電壓時，它的內阻急劇下降并迅速導通，其工作電流增加幾個數量級，從而有效地保護了電路中的其它元器件不致過壓而損壞，它的伏安特性是對稱的，如圖(1)a 所示。這種元件是利用陶瓷工藝制成的，它的內部微觀結構如圖(1)b 所示。微觀結構中包括氧化鋅晶粒以及晶粒周圍的晶界層。氧化鋅晶粒的電阻率很低，而晶界層的電阻率卻很高，相接觸的兩個晶粒之間形成了一個相當于齊納二極管的勢壘，這就是一壓敏電阻單元，每個單元擊穿電壓大約為3.5V，如果將許多的這種單元加以串聯和并聯就構成了壓敏電阻的基體。串聯的單元越多，其擊穿電壓就超高，基片的橫截面積越大，其通流容量也越大。壓敏電阻在工作時，每個壓敏電阻單元都在承受浪涌電能量，而不象齊納二極管那樣只是結區承受電功率，這就是壓敏電阻為什么比齊納二極管能承受大得多的電能量的原因。

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